进入21世纪以来,军用电子设备由综合化向集成化发展,武器系统的信息化和智能化大大提高,海、陆、空全覆盖的信息网络逐渐成为各国攻防的战略要地。各国已然将组建信息网络的各类电子系统作为攻击的首要目标,对各类电磁脉冲武器的研究逐渐的深入。本文主要针对电磁脉冲弹的毁伤机理展开研究,在借助matlab和origin分析了电磁脉冲弹的杀伤区域和威力的基础上,利用ISE-TCAD仿真软件对电磁脉冲弹对典型的电子器件的毁伤机理进行了电磁仿真分析,为下步研究提供了一定的理论计算思路和仿真参数。在本文的计算过程中,首先通过理论分析,计算了电磁脉冲弹爆炸后50米内脉冲信号的强弱规律;再通过ISE-TCAD进行电磁仿真,观察电磁脉冲弹对目标区域典型电子器件NMOS管的毁伤机理。通过观察发现,电磁脉冲弹爆炸所产生的电磁脉冲对目标区域NMOS器件的烧毁主要发生在漏、源区域与衬底的PN结处。在电磁脉冲作用下,器件内部的电场强度、电流密度和温度呈现了集中分布并在弯曲处达到峰值的规律,同时伴随信号的周期性变化,三者也在整体上升的趋势下,呈现周期性变化。另外对比不同幅值和频率参数的电磁脉冲的毁伤效应,可以发现电磁脉冲弹损毁电子器件的时间与脉冲的电压幅值成正比,与脉冲信号的频率成反比。最后,基于本文对电磁脉冲弹毁伤机理的研究成果,分析和讨论了其对电磁脉冲弹下一步研究及实战的指导作用。