【摘 要】
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本论文对高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺进行了研究，开发了一套完整的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺，获得的主要结果有： 在BiCMOS工艺中采用了深沟隔离
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本论文对高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺进行了研究，开发了一套完整的0.5μm高速双层多晶硅自对准BiCMOS制作工艺，获得的主要结果有：
在BiCMOS工艺中采用了深沟隔离(DTI)技术。采用了现在国际上通用的SiO2/Si3N4/SiO2三层结构作为阻挡层，用Cl2/BCl3/SF6混合气体主刻，在Si衬底上刻蚀出了宽为1.8μm，深为4.5μm的深沟，深沟形状较好，并通过CVD本征多晶硅对构槽进行了填充。最后测试深沟隔离性能良好。2、在BiCMOS双极部分的E-B结隔离工艺中采用了SiO2/Si3N4复合侧墙结构，最终形成了侧墙厚度均匀、隔离性能良好的复合侧墙，测试E-B反向击穿电压达5.6V。对影响BiCMOS器件性能的主要工艺条件进行了研究和优化。
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