【摘 要】
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该论文涉及两方面的研究工作.第一部分较详细地介绍了对MgB超导电性的研究结果.第二部分则介绍了对锰氧化物巨磁电阻多层膜及单层膜的半导体金属转变和铁磁转变的研究结果.第
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该论文涉及两方面的研究工作.第一部分较详细地介绍了对MgB<,2>超导电性的研究结果.第二部分则介绍了对锰氧化物巨磁电阻多层膜及单层膜的半导体金属转变和铁磁转变的研究结果.第一部分研究结果和分析讨论如下：1.通过固相反应制备得到了MgB<,2>大块超导样品,样品的直流电阻测量结果证明样品具有很好的超导性质;X射线衍射测量结果证明样品是很纯的多晶样品.2.在MgB<,2>大块样品烧结过程中进行了原位电阻测量.3.研究了不同制备工艺对MgB<,2>大块样品超导电性的影响.4.利用两步法制备得到MgB<,2>超导薄膜.5.探索了用脉冲激光沉积法（PLD）制备MgB<,2>外延薄膜的工艺.第二部分研究结果和分析讨论如下：1.用脉冲激光沉积法在SrTiO<,3>（001）和LaAlO<,3>（001）衬底上制备得到La<,0.14>Pr<,0.56>Sr<,0.3>MnO<,3>／SrTiO<,3>和La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>／Gd<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>锰氧化物巨磁电阻多层膜，其中La<,0.14>Pr<,0.56>Sr<,0.3>MnO<,3>和La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>层为铁磁层，SrTiO<,3>和Gd<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>层为绝缘层.2.观察到多层膜的铁磁转变温度和半导体金属转变温度高于单层膜的转变温度.3.锰氧化物巨磁电阻多层膜的层间磁耦合是造成铁磁转变温度提高的原因，这一结论说明当涉及到大量有序的磁矩时磁性相互作用能量是相当大的，是不能忽略的.4.这是首例通过分析可以判断得到层间磁耦合可以造成样品铁磁转变温度提高的实验工作.对此进行了简单的分析.
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