提拉法晶体生长相关论文
提拉法晶体生长控制实践和现代控制理论各自发展到了相对成熟的阶段，但是，实际应用于提拉法晶体生长的控制技术并非在现代控制理论框......
提拉法(Czochralski)是工业化生长硅单晶最广泛使用的方法,晶体生长炉内高温辐射及对流对生长晶体质量十分关键。同时考虑生长炉内......
采用熔体提拉法生长了不同掺杂浓度的Ti：Fe：LiNbO3晶体．研究了掺杂杂质离子浓度变化对晶体光折变性能的影响，测定了晶体经热化学还原处......
用提拉法生长1%(摩尔分数,下同)In:Fe:LiNbO3(LN),2%In:Fe:LN,3%In:Fe:LN和Fe:LN晶体,配料中掺入0.03%(质量分数)Fe2O3。采用光斑......
该文在充分分析了提拉法晶体生长对环境的要求以及实验室现有条件的基础上,论证了包括加热、控温、转动升降和冷却分系统的整个晶......
该文报道了双折射晶体YVO和α-BBO的生长研究及性能测试工作.YVO晶体是优秀的双折射晶体材料,已广泛应用与光通讯等领域,如何生长......
应用中频感应提拉法成功生长出高浓度(原子数分数0.50)Yb:YAG晶体以及YbA15O12 (YbAG)激光晶体,X射线粉末衍射(XRPD)结果表明晶体......
采用提拉法生长了b轴Tm：YAP晶体，晶体尺寸为φ（20～25）mm×（60～70）mm．针对部分晶体中存在的开裂、散射颗粒等宏观缺陷，分析讨论了其成因并......
Ｎｄ∶ＹＶＯ４单晶的提拉法生长赵宗源张蕴芝夏鸿昶王昌庆陈应平吴星（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）ＧｒｏｗｔｈｏｆＮｄ∶ＹＶＯ４ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌｓｂｙＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉＴｅｃｈｎｉｑｕｅＺｈａｏＺｏｎｇｙｕａｎＺｈａｎｇＹｕｎｚ.........
要：在LiNbO3（LN）中掺摩尔分数为1％的In和掺质量分数为0．03％的Fe，用提拉法技术生长具有不同n（Li）／n（Nb）[n（Li）／n（Nb）=0．94，1．05，1．20，1．38]的In：Fe：LN晶体。测......
对提拉法生长的Ce:YAlO3(简称为Ce:YAP)晶体的开裂现象进行了研究,认为引起开裂的主要内在因素是YAP晶体热膨胀系数的各向异性.研......
在优化的生长条件下,采用提拉法从加入摩尔分数6%K2O的一致共熔融LiNbO3组分中生长出近化学计量比LiNbO3晶体.用X射线粉末衍射法测......
以硅钼棒作加热体,用Czochralski技术生长了Ce:Cu:Ba0.5Sr1.5K0.5Na0.5Nb5O15(Ce:Cu:KNSBN)晶体.测试了自泵浦位相共轭反射率和响......
在Mn∶Fe∶LiNbO3中掺进6%MgO(摩尔分数)采用Czochralski技术生长Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.晶体在Li2CO3粉末中经500 ℃下24 h的还......
采用提拉法生长了质量优异的Yb:Ca5(PO4)3F(Yb:FAP)晶体.运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶......
在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体O......
用提拉法生长1%(摩尔分数,下同)In:Fe:LiNbO3(LN),2%In:Fe:LN,3%In:Fe:LN和Fe:LN晶体,配料中掺入0.03%(质量分数)Fe2O3.采用光斑畸......
原料采用固液同成分配比,在LiNbO3(LN)晶体中掺入质量分数为0.1%CeO2和0.015%MnCO3,摩尔分数分别为0,1%,2%和3%的In,用提拉法生长I......
Ce∶YAP晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大,衰减时间短,发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测、核医学等......
在LiTaO3（LT）中掺进不同摩尔分数的Fe2O3，用提拉法生长Fe：LiTaO3晶体，测试了晶体的晶格常数、吸收光谱和红外光谱．发现晶体的晶格常数随......
用提拉法生长出光学质量的Ho3+∶ZnWO4单晶,研究了晶体在可见和近红外区的吸收光谱和发射光谱,分析了Ho3+离子在钨酸锌晶体结构中......
铈掺杂铝酸镥（Ce∶LuAlO3）晶体是一种具有钙钛矿结构的新型无机闪烁体。用提拉法试图从n（Lu2O3）∶n（Al2O3）=1∶1的熔体中生长Ce∶LuAl O3......
提拉法是工业化生长硅单晶最广泛使用的方法,由于晶体生长炉内的几何条件、加热装置、熔体特性等情况复杂,要准确地获得流场的信息......
本文针对渗金属锯条的双层辉光离子渗金属工艺过程和提拉法晶体生长过程中提出的质量控制问题,研究了复杂结构辐射换热数值计算及......
提拉法晶体生长工艺是目前晶体生长中应用最广泛的晶体生长方法，它特别适合于生长大直径的单晶。本文采用数值模拟方法，研究了传热对......
