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太赫兹(THz)波的独特性质及其在科学研究和应用中的巨大潜力,推动了其迅速发展,成为当今基础科学和应用科学的热门研究方向。随着超快激光技术和微结构制备技术的发展,THz功能器件已成为继THz源和探测器之后,THz领域最普遍关注的研究热点之一。然而,THz功能器件的研究难点主要在于大多数自然物质缺乏对THz波的电磁响应,而已有的微波和光学器件又无法满足THz波段的应用需求。在THz功能器件中,THz吸收器就是其研究热点之一。本学位论文在基于CST仿真软件的模拟方法以及图形化结构的制备工艺,以探索金属阵列结构的THz波透射特性的基础上,根据THz吸收器的国内外研究进展,针对目前主要存在的吸收带宽较窄的关键性问题,设计并制备出两类宽带THz吸收器结构,即基于L型结构的双宽带THz超材料吸收器和硅基宽带THz吸收器,并系统研究了结构参数对吸收器吸收特性的影响规律,从而得到优化后的结构参数。主要工作和取得的进展如下:1.基于周期性排列的呈L型结构的谐振单元组成的超材料,设计并制备出一类性能优异的双宽带THz吸收器。该吸收器为常见的金属层-介质层-超材料层组成的三层式结构,其中选择采用膜厚易精确控制且均匀的SiO2作为中间介质层,而金属层和超材料层则采用金属Al。理论模拟表明,介质层厚度以及谐振单元的结构参数对吸收器吸收特性均存在明显的影响。经过优化,该吸收器在2.9THz-4.3THz(带宽1.4THz)和7.4THz-8THz(带宽0.6THz)双频段内实现了90%以上的高效吸收,较常规超材料吸收器具有更宽的吸收带宽,并进一步得到了实验结果的验证。2.基于重掺杂的n型单晶硅作为衬底材料,利用二元减反射光栅结构,设计并制备出一类结构简单、易于加工且性能优异的硅基超宽带THz吸收器。该吸收器由二元光栅层和基底层两层结构组成。理论模拟表明,二元光栅的结构参数、衬底材料的掺杂浓度和掺杂类型均对吸收器吸收特性存在明显的影响。经过优化,使吸收峰相互叠加从而获得宽带吸收的方法,在2.5THz-8THz超宽的频带内吸收率超过90%,其相对吸收带宽104.8%RABW=,与实验结果相吻合。