陶瓷衬底上的多晶硅薄膜电池是一种以降低成本为目标的新型太阳电池,具有很好的应用前景.薄膜的制备是薄膜电池制备中的重要步骤之一,薄膜的质量直接影响到电池的结果.为了掌握薄膜生长的规律,进而得到优良的多晶硅薄膜,该文运用RTCVD淀积多晶硅薄膜的方法,详细研究了不同陶瓷衬底和不同淀积条件对多晶硅薄膜特性的影响,获得了RTCVD制备多晶硅薄膜工艺的多方面规律性认识.研究了不同衬底的结构和成分对生成的多晶硅薄膜的外部形貌、反射率、及生长速度的影响,发现Al<,2>O<,3>大片要优于Al<,2>O<,3>小片.研究了温度对沉积薄膜的影响,发现随着温度的增加,薄膜的淀积速率逐渐增大并趋向恒定值;同样晶粒也随温度升高逐渐变大,当温度在1000℃以上时晶粒大小趋向饱和.研究了反应气体浓度对沉积薄膜的影响,发现沉积速度和薄膜晶粒尺寸在SiH<,2>Cl<,2>流量为140~160SCCM时都没有明显差异且达到最大值.研究了载气浓度对沉积薄膜的影响,发现在高流量8SLM和10SLM时得到的晶粒尺寸大且差异小.研究了掺杂对沉积薄膜及电池制备的影响,得到符合实验要求的P<++>和P<+>区的掺杂浓度分别为0.2SCCM和0.14SCCM,并对模拟的掺杂浓度与电池结果的关系进行了分析.研究了Al<,2>O<,3>和AlN薄膜电池的制备工艺和薄膜厚度对电池性能的影响,发现薄膜的厚度不但会影响晶粒的大小,还会影响到电池特性,模拟计算发现40μm的厚度对于薄膜电池是比较合适的.首次在国际上成功的制备出AlN薄膜电池.