RTCVD相关论文
采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次.采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积......
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RT......
研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积(RTCVD)的最佳条件.同时改进了制备......
Poly-crystalline silicon thin film has big potential of reducing the cost of solar cells.In this paper the preparation o......
研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶。利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法，在低成本的Al2O3衬底上沉积了重掺杂的致密多......
在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2,开窗口后作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法制备多晶硅......
采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜.实验中给出了用X射......
