当代显示技术对发光二极管（LED）提出了更高要求,需具备高亮度、高发射效率、高色纯度、广色域、波长可调、可溶液加工、低工艺成本及高稳定性等特点。量子点发光二极管（QD-LED）和钙钛矿发光二极管（PeLED）正是满足这些显示技术要求的二极管。目前,CdSe基QD-LED外量子效率（EQE）已突破20%,PeLED性能亦取得长足发展。同时,大部分高效率的QD-LED均以ZnO纳米粒子薄膜为电子传输层（ETL）,但ZnO化学稳定性差,易导致器件性能在长时间工作后衰减。与ZnO带隙类似的高稳定性N型半导体材料SnO2有望代替ZnO,解决ZnO化学稳定性差的难题。然而,本体SnO2的导带位置低于ZnO,其能带结构与高效率的发光层不匹配。尽管商业水溶性SnO2纳米粒子的能带位置与发光层匹配,但是水溶液在ITO导电玻璃表面浸润性差,难以制备高质量SnO2薄膜。针对SnO2在QD-LED和PeLED中面临的科学问题,本论文工作首先利用溶剂热法合成了具有量子尺寸效应的SnO2纳米晶,成功提高了其导带位置,使其能带位置与发光层匹配;此外,利用有机配体改性商业化的SnO2纳米粒子水溶液,并成功将其分散于有机相,解决了成膜性难题,具体研究内容和结果如下:1.提出溶剂热法制备了具有量子尺寸效应的SnO2纳米晶,作为ETL应用于QD-LED。本研究通过溶剂热法制备了平均粒径为3.7 nm的SnO2纳米粒子,小于其波尔激子直径,SnO2纳米粒子的带隙从本体的3.5 eV扩大到4.1 eV。同时导带位置从-4.50 eV上移到-3.84 eV,高于ZnO纳米粒子的导带位置,有利于电子注入量子点发光层。基于SnO2纳米粒子薄膜制备的QD-LED器件,在没有任何保护和封装的情况下,最大电流效率、最大亮度和最大功率功率效率,分别为11.8 cd·A-1、12846 cd·m-2和6.23 lm·W-1。器件的稳定性优于基于ZnO作为ETL 的 QD-LED 器件。2.提出将量子尺寸的SnO2作为ETL应用至PeLED,其中PeLED的钙钛矿薄膜发光层基于可溶性前驱体一步旋涂工艺制备。本研究将Cs2CO3、PbO和CH3NH3X （X=Cl,Br,I）等固体组分溶于正丁胺/正丁酸离子液体中,制备了CsPbX3前驱体溶液。该溶液能够原位旋涂于具有ITO导电玻璃表面,经退火形成致密的CsPbX3纳米晶薄膜。丁酸作为封端配体修饰CsPbX3纳米晶体的表面,能够减少表面缺陷。该高质量、多色可调CsPbX3纳米晶体薄膜的蓝光、绿光和红光PLQY分别为15.6%、11.7%和8.3%,实现了波长在可见光范围内的连续可调。使用蓝光钙钛矿材料薄膜与SnO2薄膜组装QD-LED器件,最大亮度可达12.6 cd·m-2。3.提出有机配体改性商业水溶性SnO2纳米粒子,解决了商业化SnO2纳米粒子水溶液难以制备高质量薄膜的难题,并将其应用至QD-LED。本研究将SnO2纳米粒子水溶液进行乙酸处理,旨在减少SnO2表面-OH基团,抑制-OH对器件性能的影响。同时,通过乙醇胺对纳米粒子进行包覆,制备了SnO2纳米粒子的乙醇溶液,提高了该溶液在ITO导电玻璃表面的浸润性、并获得了高质量SnO2薄膜,制备的ETL薄膜,具有比ZnO薄膜更好的电子传输能力、更高的载流子迁移率以及对量子点更弱的猝灭效应。其作为ETL所组成的倒置镉基QD-LED的最大亮度、最大电流效率、最大功率效率和EQE分别为14555 cd·m-2,19.83 cd·A-1,12.46 lm·W-1 和 15.69%。4.采用双配体协同改性商业水溶性SnO2纳米粒子,设计了正丁酸/一正丁胺（BA）、异辛酸/异辛胺（IA）和油酸/油胺（OA）双配体包覆的SnO2纳米粒子。研究表明,SnO2表面的配体不仅能够减少SnO2纳米粒子表面的缺陷,而且还能够优化其与发光层界面。三种双配体包覆的SnO2薄膜作为ETL,可应用于正置结构的全无机镉基QD-LED,其中SnO2-BA基ETL的QD-LED最大亮度、最大电流效率和最大功率效率分别为13916 cd·m-2、7.0 cd·A-1和2.7 lm·W-1。本论文工作系统研究了溶剂热法制备SnO2纳米晶及有机配体改性商业水溶性SnO2纳米粒子,制备出了高质量的SnO2薄膜,并将其作为ETL成功应用在QD-LED和PeLED。该系列研究不仅解决了本体SnO2难以作为QD-LED和PeLED电子传输层的问题,也解决了商业化水溶性SnO2纳米粒子难以成膜的难题。本论文成果为SnO2纳米粒子在QD-LED和PeLED中的应用提供了新的解决方案,为制备高稳定性的QD-LED和PeLED提供了新思路。