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在VLSI 工艺中,Al 互连具有举足轻重的地位,本文重点对Al 薄膜的溅射工艺及蚀刻工艺进行详细的研究。磁控溅射中,溅射温度对溅射铝膜有很重要的影响,它关系到铝原子的能量,原子在硅片表面的吸附,凝结等铝薄膜的形成过程。衬底温度决定原子的表面迁移率,衬底温度是影响淀积的铝膜的均匀性和台阶覆盖能力的主要因素。本文通过调节Varian3290 的各项参数来控制衬底的温度,研究温度对铝膜的影响,使溅射的铝膜能够符合半导体制造的要求。实验得出,在设定的加热温度在150 ℃~ 250℃时,