【摘 要】
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本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备ZnO:Al透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率、退火气氛等工艺参数对薄膜性能的影响,并对薄膜其影响机制进行了探讨。在此基础上,以实现高质量ZnO:Al薄膜的低温沉积为目标,采用在溅射气氛中引入H2和ZnO:Al靶、Zn靶两靶共溅射两种方法制备ZnO:Al薄膜来改善低温沉积下的电学性质。得出以下主要结果：(1)采用直流(DC)磁控溅射技术,以ZnO:Al陶
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本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备ZnO:Al透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率、退火气氛等工艺参数对薄膜性能的影响,并对薄膜其影响机制进行了探讨。在此基础上,以实现高质量ZnO:Al薄膜的低温沉积为目标,采用在溅射气氛中引入H2和ZnO:Al靶、Zn靶两靶共溅射两种方法制备ZnO:Al薄膜来改善低温沉积下的电学性质。得出以下主要结果：(1)采用直流(DC)磁控溅射技术,以ZnO:Al陶瓷靶(ZnOwt%:Al2O3wt%=98:2)为靶材,在玻璃衬底上制备高透明和高导电的Zn
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