集成电路产业是现代信息产业的基础,是改造和提升传统产业的核心技术。随着微细加工技术的进步,集成电路的特征线宽进入到深亚微米领域,电子束曝光代表了最成熟的亚微米级曝光技术,是近年来发展极快且实用性较强的曝光技术。电子束曝光技术的显著优点就是分辨率高,灵活性强,容易获得亚微米分辨率的精细图形。电子束曝光技术这些优势使电子束曝光技术不仅在掩模版制作方面一直处于主流地位而且将在纳米器件的研制和生产中发挥重要作用。 本文从研究电子束曝光系统的基本原理入手,着重研究了现有的Ee~-BES—40A光栅扫描电子束曝光机控制系统的控制原理和控制条件。Ee~-BES—40A是第二代电子束曝光系统,是一个集电子光学、精密机械、超高真空、计算机自动控制等近代高新技术于一体的复杂系统,主要用于在大规模集成电路(LSIC)中制作图形掩模和光栅。Ee~-BES—40A光栅扫描电子束曝光机机械部分较为精密,并且其多项技术指标在国内处于较为先进的水平。将该机器恢复起来可满足近几年微机械、生物芯片、激光器件等的研制要求。但原控制系统中的计算机太陈旧,计算机的有些配件已被淘汰,给维护曝光机控制系统带来了困难。而PC机具有更好的性能,更快的处理速度以及更大的存储容量。所以,我们把曝光机的控制计算机用PC机替换下来。原有曝光机采用光栅扫描方式,但加工方式光栅扫描方式没有矢量扫描方式灵活。在我们涉足的三维加工研中,MEMS(微机电系统)的图形更为复杂,对图形扫描灵活性的要求大大提高。无疑选择矢量扫描方式更符合我们研究发展的要求。因此我们另一个改进要点就是将电子束光栅扫描曝光方式改为电子束矢量扫描曝光。改进该曝光机控制部分将为电子束三维加工曝光技术方面的实验研究提供必要的工具和条件,对推动微细加工及MEMS方面的发展起到积极的作用。 Ee~-BES—40A由三台计算机控制,分别是Eclipse主控计算机、Minicon专用计算机和8080微控制器,此外还包括一些测量和驱动接口及控制器。本论文在研究原曝光机控制机理制后,又深入研究了该曝光机的光柱调整、标记检测、激光测量系统和工作台等机械部件的功能。在掌握原有控