由于在光、电、磁等方面具有优异的物理和化学性质，硫化物半导体纳米材料受到了广泛关注。在本论文中，选取了一种非常重要的硫化物半导体材料硫化锌（ZnS）作为研究对象，制备了ZnS包覆碳纳米管（CNTs）纳米复合材料（ZnS/CNTs），应用透射电镜，光致发光光谱、X射线衍射分析等测试手段对复合材料进行了表征，分析了制备方法、反应物类型、载体类型、Cu²⁺掺杂浓度、以及前驱溶液PH值对复合材料性能的影响。主要开展了以下三个方面的工作：第一部分研究了ZnS/CNTs纳米复合材料的沉淀法和回流法两种制备方法。在沉淀法反应物引入顺序的不同产生不同的包覆效果。回流法制备的ZnS包覆效果要明显好于沉淀法。使用252nm做为激发波长，发光曲线显示ZnS/CNTs纳米复合材料在397nm处有一个强发射峰，并且在282nm处有一个较弱的发射峰；沉淀法制备的ZnS/CNTs复合材料呈立方闪锌矿结构，而回流法制得的ZnS/CNTs复合材料为立方闪锌矿和六方纤锌矿的混合物。第二部分研究CNTs的尺寸和表面官能团对ZnS/CNTs纳米复合材料性能的影响,采用包覆效果较好的回流法制备ZnS/CNTs纳米复合材料样品。通过测试发现尺寸大于30nm，表面带有-COOH的CNTs与ZnS纳米粒子复合效果好，并且ZnS纳米粒子的结晶程度较好，表明在复合材料的制备中CNTs的尺寸与表面官能团的存在起到关键性作用。PL光谱显示在393nm处有一个强发射峰，在282nm处有一个较弱的发射峰，与ZnS纳米晶体相比，ZnS/CNTs纳米复合材料出现了7nm的蓝移；XRD测试表明样品为六方纤锌矿和立方闪锌矿的混合结构。第三部分主要研究Cu²⁺的加入对ZnS/CNTs纳米复合材料发光性能的影响。结果表明掺杂Cu²⁺不仅会对ZnS/CNTs纳米复合材料的形貌产生影响，而且影响材料的发光性能，PL光谱显示在449nm与538nm出现发射峰，并且在一定范围内，随着掺杂比例的增大，ZnS/CNTs纳米复合材料的发光强度也随之增大，当n(Cu²⁺)：n(Zn²⁺)=1%时，发光强度最强，而再增大Cu²⁺掺杂浓度发射峰反而减弱。这种现象是由浓度猝灭引起的。ZnS/CNTs纳米复合材料在不同pH条件下发光性质有所不同，碱性条件下制备的样品发射强度要远大于酸性条件下制备的样品，并且后者发射峰位置比前者有少许蓝移现象。