中国散裂中子源（CSNS）项目升级对于其加速器真空管道的真空度提出了更高的要求,以减少管道中的束流损失和电子倍增等问题。加速器真空管道多为细长管道,一般只在管道两端加真空泵,受其流导的限制,管道内会存在较大的压力梯度,难以获得较高的真空度。在管道内壁制备非蒸散型吸气剂（NEG）薄膜是目前解决这一问题的主流方法。NEG薄膜一般由Ti、Zr、V三种元素组成,TiZrV薄膜的激活温度较低,且具有较强的吸气性能。为了在加速器真空管道内制备均匀的TiZrV薄膜,使管道内的真空度能够满足CSNS项目升级要求,本课题展开了以下研究:本文通过调研前人在真空腔体内制备NEG薄膜方法,比较了各种镀膜方式的特点。考虑到管道内壁成膜厚度的均匀性,以及保持靶材元素比例等因素,确定采用直流磁控溅射的方式在加速器真空管道中制备TiZrV薄膜。使用COMSOL软件对实验系统进行简化建模及模拟分析,验证了在细长管道内磁控溅射镀膜的可行性,发现管道两端放电状态与管道中间部分存在差异,为减小这一差异对成膜厚度均匀性的影响,在设计镀膜系统时可以将靶材的两端延伸至辅助真空室之中。搭建实验系统,开展了辉光放电实验。结果表明,磁场强度为300 Gs时,实验系统具有较高的沉积速率;磁场强度为300 Gs、真空度范围为5～9 Pa,能使放电功率利用最大化。进行了管道内壁镀制TiZrV薄膜的实验,并对镀膜样品进行检测分析。在磁场强度为300 Gs、真空度为7 Pa、放电电流为200 mA、基底温度为100℃的条件下,镀膜12 h在管道内壁得到厚度为1～2 μm的TiZrV薄膜,且薄膜形貌呈柱状结构,这一形貌有利于气体的吸附及内部扩散。抽速测试结果表明,获得的NEG管道在180℃能够激活,但抽速比225℃～250℃条件下激活的抽速小。在对NEG管道进行的极限压力测试中,确认了其极限压力已经达到工程要求的2×10-8 Pa。