宽禁带半导体材料SiC因其禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、反向恢复特性好等优异特性,成为继Si、GaAs之后的新一代半导体材料。由SiC材料制造的二极管(SiC SBD)可以在高温、高压下工作,且具有正温度系数,反向恢复特性好等优点,有效解决了大功率CCM APFC电路中快恢复Si二极管开关损耗大,很难实现高频化的问题。本文对SiC SBD的特性、功率因数的定义和计算、Boost APFC电路中开关损耗做了详尽的分析和讨论,介绍了各种PFC技术的拓扑、控制及控制芯片UC3854的封装和工作原理。仿真比较了有源PFC电路和无源PFC电路,相对于无源PFC,有源PFC尽管电路结构较复杂,但电路性能有较好的改善,THD由25.2%降低到9.3%,PF值由0.9697提高到0.9957,且输出电压波动减小,本文重点是用UC3854芯片设计了一款250W输出的APFC电路,针对于市场上的UC3854控制的PFC都是用Si二极管实现的,本文使用Cree公司的SiC SBD CSD10060,仿真比较了SiC肖特基二极管应用在电路中后电路性能的改善,仿真结果表明,用SiC SBD替代Si FRED后,THD由9.3%降低到5%以下,PF值由0.9957提高到0.9988,同时由于SiC SBD几乎没有反向恢复问题,使续流二极管的管耗降低1~2W,开关管功耗降低8W左右,输出功率提高了10W左右,功率密度提高。