开关损耗相关论文
随着变频冰箱的普及,各冰箱制造商始终围绕如何实现更大的冰箱容量展开工作,尽量减小变频压缩机安装部位的空间,即变频压缩机和变......
滤波电感、电解电容和散热器是逆变器中体积占比最大的元件，为了提高具备功率解耦功能的单相光伏并网逆变器的功率密度，该文从滤波电......
为实现“碳达峰、碳中和”的目标,中国大力发展可再生能源发电技术。逆变器作为新能源发电系统中的核心设备,其性能的优劣直接影响......
现有沿用传统Si器件TO-247-3封装的分立式SiC MOSFET器件受限于键合线和平面换流回路，封装寄生电感偏大，增大了器件高频工况下的开关......
高新技术发展时期下，SiC等新型半导体的应用，促使PCB设计正向着集成化、高效化方向发展。优化设计从高频率、高密度两个方面为PCB设......
期刊
为计算NPC三电平逆变器IGBT模块损耗，提出了一种精确计算方法。首先，结合NPC三电平工作时序，对NPC三电平电路在一个输出周期内进行详......
得益于单极导通输运机理和优越的材料特性,在相同功率密度下,SiC MOSFET往往比SiIGBT有着更高的工作频率,较大的禁带宽度和较高热......
该文介绍了一种双臂推挽式逆变器,包括其电路拓扑、每个开关器件的功率分布和调制策略。分析了这种电压源逆变器的主要参数,如总谐......
针对高频感应加热电源在小型工件表面热处理应用中存在输出频率较低等问题，提出了电流型多管并联、分时交错逆变电路结构，并设计了实......
三相VIENNA整流器具有谐波小、能够实现单位功率因数、开关应力低和无桥臂直通风险等优点。但是,三相VIENNA整流电路的基本PFC结构......
学位
变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关......
随着电力电子技术的发展,以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料技术和工艺趋于成熟。与传统的硅（Si）材料功率器件绝缘栅双极型晶体管......
准确计算MMC阀损耗对柔性直流输电工程设计具有重要意义。目前计算MMC阀损耗的方法存在数学解析计算不准确或者需要运行电磁仿真而......
近年来,随着电力电子技术的快速发展,三电平变流器在电能变换中有着广泛的应用。本文针对中点钳位型三电平变流器,分析了多种调制......
辅助变流器是地铁车辆最重要的电气组成部分之一,随着SiC器件商业化应用,辅助变流器的轻量化有望大幅提升。本文针对SiC器件应用于......
电动汽车领域采用的低电压电驱动系统因其高安全、高可靠性以及低成本等优势,成为了混动汽车和纯电动汽车的一个发展趋势。然而,在......
随着现代工业的进步与功率半导体技术的发展,碳化硅（SiC）功率器件作为“新起之秀”受到越来越多的关注,被称为是推进新能源消费革命......
学位
交流电气化铁路中电分相的存在一定程度上制约了高速重载铁路的发展.为此,许多地面带电自动过分相方案相继被提出.基于电子开关的......
随着电力电子器件的发展，基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的电压源型变换器在柔性直流输电系统中得以广泛采用。IGBT作为其中核心的功......
随着社会的发展与技术的进步，人们对电力电子变换器效率和功率密度的要求日益提高，使得第三代功率半导体如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)......
高效率与高功率密度的永磁同步电机(PMSM)在传动、伺服等领域广泛应用。电机控制基础内环(简称基础内环)是PMSM控制的基本框架,其......
针对高频开关电源,设计一种基于Boost结构的功率因数校正(PFC)电路。前级采用交错并联的Boost结构,利用平均电流控制策略,实现输入......
讨论了电压空间矢量ＰＷＭ控制的几种不同组合方式。分析了每种组合方式下的谐波电流，电机谐波转矩和谐波损耗。给出了比较曲线和实验波形......
(上接第6期第60页)(4)应用电路图24至图26示出了M57959L、M57959AL、M57962L和M57962AL的应用电路。图中的栅极电阻RG的取值非常重......
di/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短......
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由功率MOSFET和双极晶体管(BJT)复合而成的一种新型半导体器件,它集两者的优点于一体,具有输入阻抗大、......
介绍了基于数学模拟方法的IGBT损耗计算模型以及计算IGBT结温所采用的等效热路模型,在此基础上提出了一种连续工作损耗和瞬时结温......
全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器,开发出额定1200V400A、600A的全S......
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS~+)元胞......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在......
本文研究了使用功率MOSFET的固态高频感应加热电源。在分析对比并联和串联逆变器的基础上选择了串联逆变方案。在分析对比各种调功......
无刷双馈电机是一种兼有异步电机和同步电机各自优点的电机，该电机所需要的变频器容量较小，功率因数可以调节，转差功率能够回馈到电网......
矩阵变换器是一种先进拓扑结构的“全硅”功率变换器，它允许频率单级变换，无需大容量的贮能元件，而且输入电流、输出电压正弦，输入功率......
当今，高功率密度和高效率是现代电力电子功率变换器不断追求的目标，高频化技术是使逆变器向轻型化、小型化方向发展的根本技术。论文......
开关电容DC/DC变换器是目前比较新的直流变换器种类，其特点是变换器只由开关管和电容器组成。由于主电路不含感性元件，所以方便集成，......
随着全球性能源危机的不断加剧,基于新能源的分布式发电系统受到广泛关注和快速发展。由于太阳能、风能的随机性特点,导致在用电高......
无机电致发光屏为轻薄面光源,具有发光均匀、使用寿命长、工作温度范围广等特点,此外,电致发光屏制备工艺成熟,制备成本较低,可大......
中点箝位型(Neutral Point Clamped,NPC)三电平逆变器具有开关损耗低、输出波形谐波含量小、单个功率器件承受电压应力低等优点,被......
学位
电驱动系统作为新能源汽车的主要动力源,其控制性能直接影响新能源汽车的动力性、经济性与安全性。永磁同步电机(Permanent magnet......
大容量三电平变换器逐渐取代传统两电平变换器,已广泛应用于3kV以下领域,但是在6kV以上的中高压领域,三电平变换器依旧无法满足工......
针对高压降压DC-DC(直流转直流转换器)输入电压范围宽的特点,设计了驱动电路通过钳位电路设定高压的驱动电压,同时通过源极跟随提......
期刊
模块化多电平换流器(modular multilevel converter,MMC)阀损耗精确计算,是柔性直流输电系统电路元器件选型、阀冷却系统设计和可......
