双电子复合（DR）过程是电子与离子碰撞的一个非常重要的过程,它广泛存在于实验室等离子体和天体等离子体中,对建立和维持等离子体电离平衡以及激发态离子布居起着至关重要的作用。准确的DR速率系数对诊断等离子体温度和密度等动力学参数以及模拟等离子体环境有重要意义。本文利用基于全相对论组态相互作用方法的Flexible Atomic Code（FAC）程序包理论研究了类铑等电子序列离子的DR过程和类锶钨(W³⁶⁺)离子的DR过程,具体主要内容包括以下几点:第一,详细研究了类铑等电子序列离子的DR过程。为了系统研究、寻找并总结各种效应和DR速率系数随原子序数Z的规律性,本文利用FAC程序包计算了类铑等电子序列(Sn⁵⁺,Sb⁶⁺,Te⁷⁺,Xe⁹⁺,Ba¹¹⁺,Gd¹⁹⁺,Tb²⁰⁺,Hf²⁷⁺,Ta²⁸⁺,W²⁹⁺,Re³⁰⁺,Os³¹⁺,Au³⁴⁺,Hg³⁵⁺,Tl³⁶⁺)15个离子的DR速率系数。考虑了双激发态4d⁸nln’l’和4p⁵nln’l’（n=4,5,6;n’<24;l’<12）的所有能级的DR速率系数,并外推到了n’=1000。考察了激发通道、辐射通道、共振稳态跃迁（RS）和非共振稳态跃迁（NRS）及级联退激（DAC）效应对DR速率系数的影响,揭示了各种效应的规律性。发现随原子序数Z的增大,DAC效应的贡献逐渐减小,当Z=50时,DAC效应的贡献在全温度范围内最大为81.92%,当Z=81时,DAC效应的贡献在全温度范围内最大为19.98%,仍不可忽略。考虑NRS+RS与考虑DAC的DR速率系数有0¹3.40%的偏差。并且随原子序数Z的增大,总的DR速率系数也逐渐增大且峰值逐渐向高温移动。对基态和第一激发态的DR速率系数进行了拟合,得到了拟合参数,总结了DR速率系数随原子序数Z的规律性,在中高温范围（130eV到50000eV）,得到了基态的DR速率系数的经验公式。第二,研究了类锶W³⁶⁺离子的DR过程。W³⁶⁺离子基组态为[Zn]4p⁶4d²,有9个能级。本文详细计算了[Zn]4p⁵4d³nln’l’和[Zn]4p⁶4d¹nln’l’（n=4,5,6,n’=4-1000,l’<12）所有内壳层激发的所有能级的DR速率系数。考察了不同通道对DR速率系数的影响,并在NRS+RS跃迁对DR速率系数影响的基础上又考虑了辐射跃迁到可自电离态及DAC效应的贡献。结果发现随着温度的增大,DAC效应的贡献越来越重要,在650eV处DAC效应的贡献为11.67%,并且考虑DAC效应的DR速率系数的计算值与考虑NRS+RS的计算值相差4.53%。在50000eV处,DAC效应的贡献达到最大,是19.34%,和NRS+RS的计算值相差5.03%。最后,为了方便使用,对基组态9个能级的DR速率系数进行了参数拟合。