近年来,国内外的科研工作者在HgCdTe探测技术与激光辐照效应方面进行了大量的工作。超短超快脉冲激光的发展给HgCdTe探测器辐照效应的研究带来了机遇。本课题主要研究在短脉冲激光辐照下HgCdTe探测器的响应规律、机理等,可以为改进器件的性能和加工工艺提供参考。论文主要研究工作如下:1、实验发现了探测器基底信号整体跃变零压输出现象,即探测器被辐照像元的基底信号响应V1随激光功率密度的增大呈现响应饱和、零压输出两阶段的响应规律。与以往不同的是,本文讨论的零压输出现象是所有像元基底信号V1的零压输出,且为跃变,不是连续降压。通过对探测器读出电路结构进行分析,认为随激光能量增强,探测器光电二极管内部公共P极的电压Vb瞬时增大,所有像元输出电压减小,使基底信号V1整体跃降至OV左右,出现基底信号整体跃变的零压输出现象。2、实验发现了光响应信号输出凹陷-回升-凸起等反常响应现象。通过理论分析认为产生光响应信号输出凹陷的主要原因是随激光能量的增强,Vb瞬时增大,导致探测器的工作状态从零偏变为正偏,“电容量”降低,被辐照像元输出电压减小,出现凹陷。当激光能量继续升高时,多余的能量引起器件温升,并使器件结区沿入射光方向产生温差,形成热生电动势,导致光响应信号电压回升及未被辐照单元的响应扩展等现象。3、实验发现了当激光能量过强导致探测器光敏元损伤后,损伤单元在无光情况下存在尖峰输出电压,且该响应电压幅值随时间变化。4、实验研究了探测器积分时间内外短脉冲激光的响应特性,并根据信号读出原理对不同响应现象进行了机理分析。5、实验发现了短脉冲激光诱导碲镉汞探测器出现噪声增强的现象,通过对比实验深入研究了噪声增强效应的产生来源与诱导途径,并对此类噪声增强效应的抑制方法提出了建议。