【摘 要】
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氧化锌（ZnO）作为第三代新型宽禁带半导体材料（禁带宽度：3.37eV），具有很高的激子束缚能（室温下约为60meV），这使得它可能在短波长光电器件（如：紫外发光二极管、紫外激光二极管、抗辐射太空紫外光电探测器等）方面发挥重大作用。目前，ZnO已经成为短波长光电功能材料领域中人们广泛关注的一个焦点。制备ZnO基光电器件的一个重要基础就是同时制备出n型和p型ZnO材料，然而目前高质量的p型ZnO薄膜
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氧化锌（ZnO）作为第三代新型宽禁带半导体材料（禁带宽度：3.37eV），具有很高的激子束缚能（室温下约为60meV），这使得它可能在短波长光电器件（如：紫外发光二极管、紫外激光二极管、抗辐射太空紫外光电探测器等）方面发挥重大作用。目前，ZnO已经成为短波长光电功能材料领域中人们广泛关注的一个焦点。制备ZnO基光电器件的一个重要基础就是同时制备出n型和p型ZnO材料，然而目前高质量的p型ZnO薄膜制备较为困难，这已然成为制约ZnO材料在光电领域实用化的一个主要问题。本论文利用有机金属化学气相沉积（M
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