本文制备了机械剥离的氧化镓材料,并且制作了多种不同的肖特基二极管器件。对氧化镓肖特基器件进行了一系列的电学测试并且对测试结果进行了分析。通过对不同器件在300 K-473K的温度范围内进行I-V特性测试,发现器件的I-V曲线随着工作温度的变化而变化。同时发现通过机械剥离氧化镓材料制作的肖特基二极管器件存在着肖特基势垒不均匀的问题。本文通过机械剥离的方法分别制备了数百纳米厚与一百微米厚的氧化镓薄层材料,并且制作了机械剥离氧化镓横向肖特基器件、机械剥离氧化镓纵向肖特基器件以及氧气退火氧化镓的肖特基器件。其中百纳米厚的横向器件表现出了非常明显的紫外响应,对253.7 nm的紫外光,最大光暗电流比为7570倍。这种器件对于紫外光的响应程度明显高于其他两种器件,这主要是由于横向器件无电极遮挡和对撕材料表面态共同导致的。表面态聚集电荷导致能带弯曲,而入射的紫外光激发新的空穴电子对与束缚电荷复合使能带变平,肖特基势垒降低,从而使电流明显增大。垂直肖特基器件表现出了明显的整流特性。器件的势垒高度为0.86 eV,理想因子为2.35。该器件的势垒高度偏低,理想因子较大,这主要是由于肖特基电极不均匀与对撕材料界面质量差导致的。对氧化镓材料的肖特基电极制作进行优化,经过工艺优化的垂直肖特基器件拥有良好的二极管电学特性,势垒高度1.17 eV,理想因子在450 K时达到1.06,非常接近理想值1,同时器件表现出了更好的肖特基势垒均匀性与更好的漏电流控制,通过计算器件理查孙常数得到结果为33.08 A/cm~2K~2,与理论值41.11 A/cm~2K~2十分接近。器件电极激活面积约80%,远大于工艺优化前不足1%的电极激活率。此外还对氧气退火的氧化镓材料制作的垂直结构肖特基器件进行了测试。发现器件的漏电流较未退火的器件更低,但材料的载流子浓度并没有明显变化。通过实验与分析得出结论,机械剥离氧化镓的肖特基器件具有良好的整流特性。其中横向器件对紫外光有明显响应,而垂直结构器件则能够很好的控制漏电流的增长。如果可以获得低载流子浓度的氧化镓材料则可能会在辐射探测器领域有一定的优势。此外,氧气退火能够有效降低氧化镓材料的氧空位缺陷,但是非故意掺杂氧化镓材料的载流子浓度可能并不是由氧空位缺陷导致的。