归功于钙钛矿材料本身卓越的光吸收性能和简单的溶液成膜性,杂化钙钛矿太阳能电池在近十年时间里得到了迅速发展,认证的小面积电池效率已达23.7%。在叠层太阳能电池、半透明太阳能电池和柔性器件中,钙钛矿电池具有不可替代的优越性。然而,在这些类型器件的制备中,钙钛矿太阳能电池的大面积制备,尤其是电子传输层的工业化、大面积均匀制备仍是一个亟待解决的问题。二氧化锡（SnO₂）由于具有良好的稳定性、易于低温制备、性能卓越等优势,是非常有潜力的电子传输层材料。本论文首次采用磁控溅射法制备SnO₂电子传输层,并应用于平板结构钙钛矿电池器件中。详细地研究了两种不同类型SnO₂靶材的溅射工艺,包括溅射过程中氩氧比、溅射SnO₂薄膜的厚度和后退火处理,并制备了钙钛矿器件和大面积组件。之后通过对溅射的SnO₂薄膜进行相关优化,尝试解释钙钛矿器件的迟滞原因。采用了紫外可见分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、X荧光光谱仪、电化学工作站、J-V扫描等方法进行了相关测试,取得了一定的成果。具体如下:1.尝试采用直流电源室温溅射导电型SnO₂靶材制备SnO₂薄膜并应用于平板结构钙钛矿电池中。通过调节溅射过程中氩氧比和优化SnO₂后退火温度,制备钙钛矿电池器件中最高获得了15.8%的效率。2.尝试采用射频电源室温溅射非导电型SnO₂靶材制备SnO₂薄膜,通过调控氩氧比发现适量的氧分压可以溅射出致密且低缺陷密度的SnO₂薄膜。通过优化溅射SnO₂薄膜的厚度,在平板结构钙钛矿器件上获得了最高18.20%的效率。同时,小面积（0.1475 cm²）器件效率直方图显示良好的重复性,制备的大面积（16.07 cm²）钙钛矿组件最高获得了14.71%的效率。3.优化室温溅射非导电型靶材制备的SnO₂薄膜的后退火温度,发现不退火处理的电池效率最好。采用PCBM修饰溅射制备的SnO₂电子层,发现PCBM通过加快载流子输运来减少器件的迟滞,但也会引入新的缺陷,无法完全消除器件的迟滞。采用KI修饰溅射制备的SnO₂电子层,发现KI通过加快载流子输运的同时减少缺陷来消除器件的迟滞。采用KI/PCBM双层修饰溅射制备的SnO₂电子层,发现KI不需要接触钙钛矿薄膜也可以消除器件的迟滞。