微纳光栅是重要的微光学元件之一,具有结构简单、易集成等优点,其中布拉格(Bragg)光栅由于其对特定波长光波具有良好的选择性作用,常被用来作为半导体激光器、光学滤波器等光电子器件的选模元件。目前全息光刻技术是制备微纳光栅的首选技术之一,但由于其受曝光光栅图形的限制,所用光刻胶厚度较薄,导致干法刻蚀光栅时光刻胶不足以阻挡粒子的轰击,为后期光栅刻蚀带来了较大难度。为解决利用全息光刻制备光栅时,在刻蚀光栅过程中难度较大的问题,本文提出采用金属硬掩模为微纳光栅的干法刻蚀提供阻挡层的方案。本论文以分布布拉格反射器(DBR)半导体激光器为研究对象,围绕基于全息光刻技术制备微纳Bragg光栅的关键技术展开一系列研究。研究内容包括:1)基于耦合模理论和传输矩阵法探究Bragg光栅的基本工作原理,设计针对976nm波段反射的Bragg光栅,确定其的周期、占空比、刻蚀深度等各项参数;2)设计并搭建全息曝光系统的光路,优化全息光刻工艺参数,获得形貌良好的周期光栅图形;3)研究微纳光栅硬掩模制备工艺,以金属镍(Ni)作为硬掩模材料,利用Lift-Off剥离技术制备并获得微纳光栅硬掩模;4)设计基于全息光刻技术的微纳光栅制备工艺,优化各项工艺参数,制备获得了槽宽300nm、刻蚀深度1454nm的光栅样品,其深宽比约为4.9;5)设计基于全息光刻技术的976nm DBR半导体激光器件制备工艺方案,并对器件进行了制备研究,获得了中心波长为976nm、光谱宽度约0.3nm的输出激光。