CoFe<,2>O<,4>-ABO<,3>多铁性复合薄膜的制备与表征

来源 :上海大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aman25826882
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铁磁-铁电多铁性材料具有磁电效应,即能实现磁电或电磁之间的转换,因此可以使得能量在磁场和电场之间自由转换,从而在传感器领域有着广阔的应用前景。由铁磁相和铁电相复合而成的多铁性复合材料能够通过对铁磁相和铁电相的调制而满足多种多样的应用要求。本论文采用脉冲激光沉积法(PLD)制备了0.7BiFeO3-0.3CoFe2O4(BFO-CFO)柱状结构和CFO/BFO层状结构的多铁性复合薄膜,采用PLD法和溶胶-凝胶法相结合的成膜工艺,制备了CFO-PZT层状结构多铁性复合薄膜。 0.7BiFeO3-0.3CoFe2O4柱状结构复合多铁薄膜的形成显著地受到衬底温度的影响。当衬底温度低于700℃时,难以得到铁电相和铁磁相共存的多铁性复合薄膜,当衬底温度为700℃时,能得到铁电相和铁磁相共存的多铁性复合薄膜。其漏电流密度随薄膜厚度的增加而显著增加,表现出较差的绝缘性。CFO/BFO层状结构的多铁性复合薄膜的形成受到两相沉积顺序和BFO沉积温度的影响。首先在560℃将CFO先沉积到衬底上,随后在670℃将BFO沉积到CFO上,能得到两相共存的层状结构多铁性复合薄膜。由于两相的稀释效应,CFO/BFO层状结构复合薄膜的介电性能和磁性能比相应的单一薄膜小,其剩余磁化和外场频率为100 kHz时介电常数分别为14 emu/cm3和72.7。CFO/PZT层状结构多铁性复合薄膜中的PZT层具有(111)方向择优取向,CFO层厚的改变对PZT层的生长没有明显影响。不同CFO层厚的样品均具有饱和的电滞回线,剩余极化和矫顽场强分另0为36.5μC/cm2、40.6μC/cm2、40.6μC/cm2和308.3 kV/cm、300 kWcm、266.6 kV/cm,并表现出较好的绝缘性,在100 kV/cm的电场作用下,其漏电流密度可达到2.28×10-8A/cm2.
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