金刚石具有宽禁带、高热导率、高载流子迁移率、高击穿电压等优点,被认为是终极半导体。对于半导体器件来说,经常采用先辐照后退火的手段以提高其载流子浓度与迁移率。然而目前对金刚石辐照缺陷的研究主要集中在高纯IIa型金刚石和氮掺杂金刚石上,而对于硅掺杂金刚石辐照缺陷的研究非常少,制约了硅掺杂金刚石大功率电子器件的研制开发与性能调控。本论文采用近阀能辐照技术对硅掺杂金刚石进行电子辐照,然后利用低温光致发光光谱进行表征,研究了硅掺杂金刚石辐照前后零声子线的温度依赖性、缺陷沿深度方向的分布情况,以及退火对零声子线强度与分布的影响。结果表明,硅掺杂金刚石中1.68e V零声子线(Si-V色心)对应的缺陷对晶体化学键的软化程度较高,其热软化系数高于理想金刚石,而辐照后产生的2.25e V零声子线对应的缺陷对晶体化学键的软化程度较低,其热软化系数低于理想的完美金刚石;1.68e V零声子线的热猝灭激活能低于2.25e V零声子线和GR1色心,更容易发生热淬灭;1.68e V零声子线具有与GR1色心相同的温度依赖性及增宽机制,而2.25e V零声子线的增宽机制与1.68e V色心不同。基于以上分析,2.25e V零声子线认为是由间隙原子缺陷引起的。研究结果还表明,电子辐照后,硅掺杂金刚石中的本征缺陷沿深度方向发生扩散,实际扩散距离与理论计算值非常接近;辐照过程中,电子辐照后产生的本征间隙原子与Si-V色心和NV色心发生了复合,从而导致Si-V色心和NV色心发光强度减弱;800℃高温退火后,辐照产生的本征间隙原子扩散至空位处发生复合,而空位可以扩散至杂质N和Si处被束缚而形成NV色心和Si-V色心。