磁性随机存储器因具有静态功耗低、非易失性、读写速度快等优点,引起了科研工作者广泛的关注。当前研究主要集中在如何利用面内电流激发的自旋轨道力矩诱导自由层的磁化翻转。然而,自旋轨道力矩与界面微观结构、磁各向异性等参数密切相关,使得界面对自旋轨道力矩的影响尤其是Rashba效应在磁化翻转中的作用等相关物理机制缺乏足够的理解。面内磁各向异性结构能够实现对面内磁各向异性、矫顽力、易磁化轴取向等的调控,并可以借助平面霍尔效应的角度依赖性,研究电流方向、磁化方向、外加磁场、界面Rashba效应等对面内电流诱导磁化翻转的影响,是研究自旋轨道力矩物理机制的理想载体。本文利用磁控溅射技术,制备具有面内单轴磁各向异性的Ta/Fe80Ni20-O/Al2O3和Ta/Co20Fe60B20/MgO多层膜结构,研究了氧化物类型、铁磁层厚度、倾斜角度等实验参数对样品面内磁各向异性的影响。并进一步系统地研究了电流与外加磁场的大小和方向对平面霍尔效应的影响,主要研究内容如下:（1）利用倾斜溅射的方法制备具有不同面内单轴磁各向异性的Ta/Fe80Ni20-O/Al2O3结构,采用振动样品磁强计（VSM）系统研究了样品面内方向与垂直方向的磁学特性。研究发现Fe80Ni20-O层厚度在10-30 nm范围内变化时,样品均具有良好的面内单轴磁各向异性,可以实现样品面内磁各向异性场在50-120 Oe范围内调控;通过改变倾斜溅射的角度也可以调控样品的磁学特性,面内磁各向异性随着倾斜溅射角度的增加而增大,通过改变倾斜溅射角度实现了面内磁各向异性场在30-80 Oe范围内调控。（2）利用磁控溅射制备出具有面内单轴磁各向异性结构的Ta/Co20Fe60B20)/MgO样品。不同的是,样品只有在倾斜溅射角度为33°时才具有面内单轴磁各向异性,并且随着Co20Fe60B20层厚度的增加,面内磁各向异性场逐渐增大。通过改变磁性层厚度,实现了面内磁各向异性场在90-230Oe范围内调控。（3）使用综合物理性能测试系统（PPMS）的水平旋转杆,系统测试了电流与外加磁场的大小和方向对样品平面霍尔效应的影响,并借助平面霍尔效应研究了样品的磁化过程与面内磁各向异性场的角度依赖性。实验结果表明,磁化过程是由外磁场与面内磁各向异性场能量的竞争决定。