该论文主要利用格林函数理论研究低维系统中的极化子性质.在理论上,研究小组选取一基矢,这基矢包括受限方向上所有可能的状态,构成一组正交、归一和完备的函数集.作场算符以便 哈密顿量二次量子化,这样就考虑到了所有激发态对电子自能和有效质量的影响.在第一章中,研究小组首先对极化子理论和格林函数理论作一个简单的综述,并综述了低维系统中的极化子理论的研究现状,进而引出该论文所要研究的主要问题.在第二章中,研究小组利用格林函数理论讨论了极性晶体膜中极化子的性质.以GaAs极性晶体膜为实例进行了计算.在第三章中,研究小组使用格林函数方法研究了量子阱中电子的自能和有效质量.研究小组采用无限高方势阱模型.对GaAs/Ga<,0.75>Al<,0.25>As量子阱进行了数值计算.在第四章中,研究小组使用格林函数方法研究了异质结中极化子的自能和有效质量.在绝对零度下,对GaAs/Ga<,0.75>Al<,0.25>As异质结进行了数值计算.在第五章中,研究了电子-声子相互作用对表面杂质原子的影响.第六章是全文的总结和展望.