发光二极管作为下一代光源有着广泛的应用前景,由于其能量转化效率高,使用寿命长以及无污染等优点对于未来社会的可持续发展有着重要的意义。现在LED的制造工艺瓶颈主要集中在对薄膜生长厚度和化合物半导体薄膜组分的精确控制上。因此开发出一套针对LED芯片薄膜生长工艺的分析测试方法将具有十分重要的意义。本文介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜膜厚d的方法,并通过SIMS、椭圆偏振仪、SEM等分析测试手段对实验结果进行验证,证明了该方法测得薄膜厚度的可信性。通过数据库数据对比技术,将通过拟和得到的化合物半导体薄膜的折射率n值与数据库的数值进行比较分析,得到了该层薄膜的化合物组分信息x,并通过XRD和XPS等分析测试手段对得到的实验结果进行验证,证明了该技术测得化合物半导体薄膜组分x的可信性。应用了FIB“取出法”的制样技术和TEM测试分析相结合,得到了较为快速的得到样品量子阱信息的技术。本套测试技术不仅提供了测试化合物半导体薄膜组分和薄膜厚度的一个有效的新方法,更是为实际的生产工艺监控和工艺改进提供了一套新的技术,因为该套技术的测试速度和对样品的伤害都优于传统的分析测试手段,满足了实际生产上的需求,可以用来快速判断该芯片的生长是否均匀,并可以为工艺的改进调控提供参考。