基于MoS2/InN异质结纳米材料的制备及H2检测性能研究

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二维过渡金属硫化物纳米材料和Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料具有独特的物理特性及优异的电学性能,因而引起世界各国专家学者的广泛关注。本论文分别从MoS_2和InN纳米材料的生长制备与测试表征、MoS_2纳米材料光催化降解性能和由MoS_2/InN异质结纳米材料所构成的检测装置对H_2气体性能检测三方面进行相应的研究,包括:(1)归纳和总结了InN纳米材料和MoS_2纳米材料的晶体结构、物理基本特性和常见的一些制备方法,以及在微纳半导体器件和基于异质结器件的气体检测研究领域的应用情况。(2)在覆盖有60 nm胶
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