ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的具有六方晶系纤锌矿结构的化合物半导体,它的带隙宽度可高达3.37eV。ZnO材料无毒,原材料价格便宜,化学稳定性好,特别是高C轴取向的ZnO薄膜是非常优异的光电材料,并且具有光学透过率高、生长温度低、抗辐射能力强、电子饱和漂移速度高等优点。目前,国内外许多学者己经在开展以ZnO为有源沟道层的场效应晶体管的研究工作。值得注意的是,这种场效应晶体管制备温度较低,可以使用玻璃或塑料作为衬底,而且可以制作成全透明的薄膜晶体管,如果将其应用于有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中,将降低TFT-LCD的工艺复杂性,降低成本,增强器件的可靠性。ZnO薄膜的制备方法有很多,几乎所有的制膜方法都可以用来制备ZnO薄膜。像磁控溅射法、离子体分子束外延(MBE)法、sol-gel法、金属有机物化学气相淀积(MOCVD)法、等离子体反应淀积法等等。磁控溅射法方法简单,制备的膜层致密,薄膜淀积温度低,并且有较大的溅射速率,因而受到了广泛的使用。本实验采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上低温生长ZnO薄膜。生长出的薄膜对可见光具有高于90%的透射率,该薄膜具有良好的C轴取向。利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果,分析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响,得到最佳的生长工艺条件为:衬底温度400℃,溅射气压1Pa,氩氧比为25sccm:15sccm。在此条件下生长的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向,并且薄膜的结晶性能良好。晶粒的尺寸可以高达50纳米。适合用于制备平板显示器的透明薄膜晶体管(TTFT)。