RF磁控溅射相关论文
铝掺氧化锌（ZnO:Al,AZO）由于具备原材料丰富,无毒,高温及氢等离子体环境中稳定等一系列的优点成为透明导电薄膜材料领域中的研究热点......
正极薄膜材料是全固态薄膜锂离子电池中的锂离子供体,是影响电池容量的关键因素之一。聚阴离子型Li MSi O_4(M=Fe、Mn)正极材料具......
本文研究了RF磁控溅射工艺对TiNi Cu 合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明,在基片未加热的条件下溅射薄膜组织为非晶态,并呈柱状......
采用RF磁控溅射法在石英玻璃上制备了InGaZnO薄膜, 并对薄膜进行了真空退火实验, 探讨了沉积过程中氧气流量及真空退火温度对薄膜......
近年来,CoFeB薄膜以其低的矫顽力、低阻尼系数、高自旋极化率、高饱和磁化强度,在众多领域有着广泛的应用,特别是作为铁磁层应用于......
聚阴离子型硅酸盐系硅酸亚铁锂作为正极材料,具有易制备、来源广泛、高效绿色、成本低廉、理论容量高等优势,备受国内外研究者关注......
采用射频磁控溅射法制备了具有高饱和磁化强度的 Fe-N 薄膜。系统研究了氮气分压、基底温度，溅射功率等制备工艺条件对 Fe-N 薄膜结......
直接宽禁带半导体材料ZnO是第三代半导体材料的典型代表，其薄膜材料在光电、压电、气敏传感器、集成光学、透明导电薄膜等领域具有......
ZnO是一种直接带隙半导体材料，属于六方纤锌矿结构。由于(002)晶面的表面自由能最低，晶体有C轴择优取向的特性。作为一种直接带隙宽......
提出一种新型的设有环形结构微热板的硅基ZnO微气体传感器。利用ANSYS软件,将环形电极结构与传统的蛇形结构进行温度分布的模拟仿......
以ZnO：Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜，通过XRD、AFM以及Hall效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强......
以多孔氧化铝(AAO)和导电玻璃FTO为基底,用射频(RF)磁控溅射法和溶胶凝胶(Sol-gel)法分别制备了微纳结构的TiO2,两种TiO2沉积技术......
采用RF磁控溅射法在12.7 cm的PZT/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了PZFNT薄膜,后处理采用快速退火工艺,对不同退火温度的薄膜进行了分析.......
钛酸锶钡（BST）薄膜作为一种高K介质材料在微电子和微机电系统等领域具有广阔的应用前景，人们已对BST薄膜的制备工艺技术和介电性能进......
采用射频磁控溅射法在Si和Pt／TiOx／SiO2／Si衬底上沉积了（Ba0．65Sr0.35）TiO3铁电薄膜，研究了BST铁电薄膜微观结构和介电性能。实验结果表明......
RF磁控溅射是目前应用最广泛的一种溅射沉积方法。由于陶瓷溅射的现象相当复杂，目前尚无完整的溅射理论可以用来分析溅射现象，所以通......
采用高致密度靶材在室温条件下玻璃衬底上RF磁控溅射制备铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜。用X射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜、紫外可见......
采用射频（RF）磁控溅射法在玻璃衬底上制备了c轴择优取向的ZnO薄膜。对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行不同温度（350-600℃）的退火处理......
采用RF磁控溅射技术,以掺杂氮化锂的氧化锌陶瓷为靶材,用不同物质的量比的高纯氩气和氧气混合气体为溅射气体,在石英衬底上生长锂......
采用射频磁控溅射法成功地在多孔La0.7Sr0.3Cr0.5Mn0.5O3-δ（LSCM7355）阳极基底上制备了致密的LSGM电解质薄膜层。研究结果表明,当溅......
采用RF磁控溅射法,在不同溅射功率下在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度（350-600℃）的退火......
通过RF磁控溅射在Si（100）基片上制备了ZnO薄膜，并研究了磁控溅射中各生长参数，如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构......
本文利用射频磁控溅射的方法首次制备了厚度小于200nm的低电阻率高透过率的镓掺杂ZnO（GZO）薄膜。研究了溅射功率的改变对GZO薄膜光电......
采用X射线衍射分析（XRD）,原子力显微镜（AFM）及纳米压痕技术测试分析了多晶ZnO薄膜的晶格结构和力学性能。薄膜的制备采用了射频（RF）磁控......
以α-Al2O3为靶材，采用射频磁控溅射法制备了非晶Al2O3薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电镜、划痕仪、表面粗糙轮廓仪和阻抗仪研究了不......
利用RF磁控溅射和真空退火方法制备了PbTe纳米薄膜．利用SEM、XRD、AFM和FTIR分别对制备的样品的表面形貌和颗粒大小、结构以及带隙......
用射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率（120 W~210 W）下于玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子......
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采用RF磁控溅射法制备了掺铝ZnO(AZO)透明导电薄膜,用X射线衍射仪、分光光度计和四探针仪等,研究了沉积温度对薄膜晶体结构和光电......
采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜，通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、......
低维非线性材料,尤其是CMOS工艺兼容材料,在光电器件和全光器件的集成化和小型化方面具有非常重要的应用。氮化硅作为一种重要的CM......
用RF磁控溅射方法,在高功率下制备厚度为2μm的薄膜,当N含量在5.9～8.5%原子分数范围内,形成α′+α″相时,4πMs=2.2T,Hc=58.6A/m,......
采用中频双极脉冲(IFBP)和射频(RF)磁控溅射分别在(100)取向的单晶Si衬底上沉积C掺杂h-BN(h-BN∶C)薄膜,随后在95%Ar+5%H2混合气氛......
纳米压痕技术由于具有试样制备简单、操作方便以及高重复性的测量结果等优点被广泛应用,目前已成为微纳计量、材料科学和表面科学......
六方氮化硼（h-BN）作为一种类石墨烯Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,拥有众多良好的物理化学性能。而在进行选择性掺杂后,h-BN将具有优异的导电、......
薄膜是指通过某种手段将小粒子生长在基底片的表面所制备成的双维度材料,是一种具有薄而软特性的透明薄片。薄膜材料可以制备达到......
ZnO作为Ⅱ-Ⅵ族宽带隙直接带隙半导体材料，有优异的压电、光电、压敏等特性，ZnO掺杂近年来受到了广泛的关注。掺铝ZnO （AZO）作为透明导......
