脉冲功率技术是国防科研需要而开始发展起来的一门新兴科学技术,是将缓慢存储起来的具有较高密度的能量,在极短的时间内释放给负载,形成超高脉冲功率输出的电物理技术。在脉冲功率系统中,脉冲开关是很重要的组成元素。它需要具有高的阻断电压、高的峰值电流、高di/dt的能力。传统的脉冲开关存在开关速度慢、使用时间短、驱动电路复杂及器件体积庞大等缺点。用于脉冲放电的半导体开关器件具有成本低、体积小、效率高等优势,使其成为替代传统开关器件的最佳选择。而在半导体开关的选择中,功率MOSFET由于导通电阻较大,使其不能应用于高脉冲功率领域。具有电导调制效应的绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有较低的导通电阻,但是由于电流饱和而带来的有限的di/dt能力和峰值电流能力限制了它在很多脉冲功率领域中的应用。传统的晶闸管(SCR)和栅极可关断晶闸管(GTO)具有处理超高的峰值电流的能力,但由于是电流控制的原因,控制电路较复杂,且较低的di/dt能力也不利于其在高脉冲功率领域的应用。本文所采用的是一种具有阴极短接结构的MOS控制晶闸管(CS-MCT),结合MOSFET栅极控制电路简单和晶闸管优良的浪涌电流能力,能够提供高的di/dt和高的峰值电流。但是在实际应用中,单个器件的耐压等级已经无法满足脉冲系统对高压的需求。通过器件串联,能够有效的提升电压等级。因此,本文通过对基于CSMCT串联的脉冲放电电路的仿真,对器件串联不均压的原因进行分析。驱动电路采用同步变压器驱动原理设计,解决了驱动信号不一致的问题。通过在器件两端并联静态均压电阻的方法解决了串联器件静态不均压的问题。通过在器件两端并联RCD均压回路的方法解决了串联器件动态不均压的问题。通过PCB板级的驱动同步性测试、均压特性测试和脉冲放电测试结果分析,在单管极限耐压1600V放电时的峰值电流大小为2340A,而通过两级串联后,其极限耐压能力提升至3200V,其最大峰值电流为4400A,通过两级串联后,峰值电流相对于单管提升了88%。并在四级串联4000V放电电压下,峰值电流能力达到了5190A。最后得出了基于CSMCT串联的电路在脉冲放电应用中,具备同步开启、静态及动态均压和较高的峰值电流的能力。