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作为宽带隙半导体纳米材料，ZnO具有成本低，制备工艺简单以及可控性生长等优点，在光电器件中具有广阔的应用价值。但是由于纳米材料本身具有分散性差，易于团聚，从而较难控制其发光特性。本文重点讨论了在SiO2形成的网络结构中原位生长的ZnO纳米晶的缺陷荧光发射特性以及发光机理。主要工作如下：采用化学沉淀法制备了在SiO2的网络结构中生长了ZnO纳米晶，通过改变前驱物正硅酸乙酯的用量调控SiO2网络密度，达到调控ZnO纳米晶的尺度。结合荧光光谱、紫外-可见吸收光谱、X射线衍射，详细的讨论了网络结构对ZnO纳米晶的作用机理，以及对样品在可见光区域的光增强效应和发光调控机理，并且提高了ZnO纳米晶的分散性和稳定性，对样品的荧光强度的改善也具有作用。采用半径与锌离子相差较小的Mg作为掺杂材料，研究了Mg掺杂对ZnO缺陷发光的影响。对于前驱物配比的影响研究发现，Mg的最佳掺杂浓度为5%，对发光性能的研究显示，Mg掺杂影响了ZnO带隙，出现了与带隙变窄效应相关的吸收边红移现象。同时对Mg掺杂ZnO进行了SiO2网络的修饰，研究了Mg掺杂浓度对SiO2网络修饰的ZnO发光特性的影响，吸收边出现了与纳米晶尺度效应和莫斯-布尔斯坦效应相关的蓝移现象；通过改变反应时间对SiO2网络修饰Mg掺杂ZnO纳米晶发光特性的研究，并与反应时间对SiO2网络修饰ZnO纳米晶相比，发现随着反应时间的增加，SiO2网络修饰Mg掺杂ZnO纳米晶的吸收光谱出现了红移现象，即Mg掺杂影响了对SiO2修饰ZnO纳米晶的晶体场，使得ZnO纳米晶带隙对反应时间比较敏感。采用超声-退火法制备了p型NiO纳米材料，经过化学合成过程形成了对ZnO纳米晶的表面修饰并形成了ZnO@NiO复合材料。荧光光谱测量显示，随着NiO量的增加，ZnO纳米晶的紫外发射逐渐增强，这是由于p型NiO纳米材料使得ZnO中的激子浓度增加，此外由于经过NiO修饰后，ZnO纳米晶表面的无辐射跃迁中心减少，使无辐射跃迁的几率减小。