In2O3作为一种n型半导体材料,因其具有较宽的禁带宽度和较小的电阻率而被广泛应用于液晶设备、太阳能电池及气体传感器等方面。对In2O3纳米材料的研究成为了热门课题。其纳米材料气体传感器可应用于如生物工艺过程,建筑业,环境保护行业等方面。In2O3纳米材料不管是对氧化还是还原性气体都表现出比较好的气敏响应,因此In2O3被广泛的应用于制作气体传感器。气敏材料自身的形貌、结构等直接影响着气体传感器的性能。本文用碳热还原法制备了氧化铟纳米带,制备了基于单根纯净和不同元素掺杂的氧化铟纳米带气敏器件。并利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱色散谱(EDS)等现代分析测试手段,对所合成的纳米材料的形貌、成分等进行了分析表征。重点介绍了纳米氧化铟的合成方法、器件的制备、气敏性能。主要工作如下:1、用碳热还原法合成了氧化铟纳米带。将高纯In2O3粉末和碳粉混合,在高温炉中通过碳热还原合成In2O3纳米带。表征了所制样品的形貌、结构和成分。并测试了单根纯净氧化铟纳米带器件对乙醇的气敏性能。2、用碳热还原法合成了Er、Eu掺杂的氧化铟纳米带。将高纯In2O3粉末、碳粉及醋酸铒和醋酸铕混合,在高温炉中通过碳热还原分别制备了掺杂Er和Eu的In2O3纳米带。对其进行了表征,并测试了基于单根掺杂了Er和Eu的In2O3纳米带的气敏特性。3、对In2O3的生长机理及气敏机理进行了分析。