等离子体源辅助电子束蒸发沉积(以下简称等离子体辅助沉积)技术是制备均匀、致密、高质量薄膜的常用方法。基于有限元素分析法(FEA)对等离子体环境进行仿真,通过改变仿真中等离子体源的输入参数,得到了同一种等离子体源在SATIS 370,SATIS 1200和JAVAC 1350三个系统中输出参数的变化规律。最后将输出参数和薄膜的光学特性参数相比较,探究等离子体源对最终生成样品薄膜光学性能的影响。本文对同一种等离子体源在三个不同的等离子体辅助沉积系统进行了建模和仿真。研究过程中对模型内部分别添加电场和磁场,在SATIS 370系统中设置电场的加速电压为150V,设置形成磁场所需要的提取电流为5A,10A、15A和20A;在SATIS 1200系统中设置电场的加速电压为100V、130V和165V,设置形成磁场所需要的提取电流为15A,设置阴极区域感应加热电流为10A、20A、30A和40A;在JAVAC 1350系统中设置电场的加速电压为150V和180V,设置形成磁场所需要的提取电流为13A,设置阴极区域感应加热电流为60A。在以上三个系统中,设定加速电压、提取电流和感应加热电流输入参数中的任意两个为恒定值,分析当另一个参数变化时对等离子体源输出结果的影响。在仿真和实验中重点研究不同输入参数对等离子体源输出结果的影响,获得了等离子体源输出参数随着提取电流、加速电压、感应加热电流改变而变化的规律。通过多物理场耦合来模拟电子和中性粒子(Ar)在等离子体源中的碰撞并最终形成等离子体的过程。将粒子计数器置于基底的等效位置上并最终获得离子电流密度和离子能量分布。在后续的实验中采用相同的条件对建模和仿真进行验证,利用法拉第杯和朗缪尔探针分别测量了实验中的离子电流密度和离子能量分布,实验测量值和建模仿真中的输出参数吻合性较好。此外还研究了不同沉积基底位置、波长、能量、温度下所对应的透射率、反射率、折射率等薄膜样品光学性能的变化规律。