¨前太阳能电池行业多用管式PECVD法沉积氮化硅减反射钝化膜,然而管式设备对于实现薄膜沉积的均匀性有一定的局限,其原因在于反应腔室内部反应气体分布不均匀。这会对薄膜的表观质量造成很大的影响,形成色差片。不断出现返工片,将会阻碍产品生产效率的提高。本论文通过大量的产线实验发现,通过总的气体流量、反应时腔室压强以及射频功率的调节,会对成膜的均匀性有很大帮助。研究表明,对于管径380mm,.管长2075mm的常用反应腔室,气体总流量在5000sccm,反应时腔室内压强在220pa,射频功率4500w左右时,仅就成膜的均匀性来讲是最佳的,几乎没有返工片,而且也不会对薄膜的其它参量造成很大的影响。研究还发现,除了以上三个工艺参量能较大的影响薄膜的表观质量外,石墨舟的间距大小,也会对薄膜均匀性造成影响,对比发现13mm间距石墨舟的成膜质量要明显优于11mm间距石墨舟。另外,钝化工艺在晶体硅太阳电池上的应用已经十分广泛。我们在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体,先对硅片进行氢等离子体预处理,通过数值分析和实验的方法分别研究了预处理时间,功率,温度,压力各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450℃,时间200s,射频功率4000w,气体压强200Pa,氨气流量为4000sccm时,表现出短路电流提高较为明显。然后采用等离子体增强型的化学气象沉积(PECVD)法,在电池表面镀上一层氮化硅膜,实验证实氢等离子体会透过氮化硅膜进入到硅基体内,具体表现为少子寿命提高7μs左右。之后的低温退火实验表明,430-440℃左右为最优温度,随着时间的增加,短路电流会有明显提升,光电转换效率也有提高。