该论文研究了量子半导体结构中与电子-声子相互作用有关的几个理论问题.首先,通过引入依赖于电子坐标的电子分布函数修正了Lee-Low-Pines(LLP)方法,然后应用其处理量了阱中的
该文利用深能级瞬态谱(DLTS)测量了GaAs/InAs量子点超晶格样品.测得2.5ML InAs淀积厚度的量子点的电子能级为0.2eV,1.7ML InAs淀积厚度的量子点的电子能级为0.1eV,与理论计
近些年,单元素二维材料,例如:石墨烯,硅烯,锗烯,锡烯,锑烯等等,以其特殊的电子结构和新奇的性质引起了人们广泛的关注。在不断寻找新的材料体系的同时,人们还试图将已知的二维材料通过适当的手段堆叠成三维结构,形成范德瓦尔斯异质结,进而创造出更多具有独特性能的复合材料。此外,以二维材料为桥梁,通过选择合适的材料体系制备出二维材料的面内p-n结,人们可以进一步探索一维世界中奇异的物理现象。但是,因为缺少合
利用场致发射技术,能在低压简单的气氛下获得试验样品表面的负离子及其飞行时间谱.为了探索场致发射负离子的形成机理,我们作了以下方面的研究工作:1、负离子谱与温度的关系;
该文利用全实加关联(Full Core Plus Correlation)方法系统研究了类锂体系从LiI到NeVⅢ的基态和低激发态lsnl(n=2,3,4,和5,l=s,p)的电荷密度分布,外磁场中的高阶Zeeman效
该文对FDTD法的误差现象进行了比较完备的综合论述,并针对FDTD法的截断误差进行了深入的探讨,基于最小平方意义和最佳一致逼近意义提出了几种新的逼近方法,并在这些新型逼近