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现代脉冲功率技术对高频、高压、高温下的应用要求越来越严格,作为脉冲功率系统中的核心部件,开关器件的发展也因此受到了很大的挑战。采用宽禁带半导体材料4H-Si C制作的反向开关晶体管RSD具有比普通的Si基RSD更优越的特性,可望进一步提升器件的阻断电压和电流密度,减小高耐压情况下的导通损耗,在高压与高重复频率应用中优势更大。本文对4H-Si C RSD的阻断特性、台面造型、开通特性、热力学传输模型进行了研究,主要研究成果如下:建立了不同耐压等级的4H-Si C RSD模型,对不同耐压等级的器件结构做了规律性的总结,得出耐压与N基区参数关系。为了解决4H-Si C RSD器件表面击穿造成的阻断特性变差的问题,本文对正斜角边缘终端进行了建模分析,并采用机械切割配合ICP刻蚀的方法实现了45°角终端造型,并通过实验对刻蚀深度进行了优化,实验结果表明这一台面造型方法可有效地提升器件的阻断特性。基于二维数值模型对4H-Si C RSD进行开通机理的研究,比较分析了不同耐压等级的4H-Si C RSD与Si RSD的开通特性,得出结论:6k V以上的高压器件4H-Si C器件具有比Si器件更小的开通损耗;对4k V级4H-Si C RSD器件的N基区载流子寿命进行了讨论,得出了器件正常开通对基区寿命的要求至少应大于1μs的要求;研究4H-Si C RSD的预充电荷量并与Si RSD进行对比,从微观角度分析出两者电荷量差异主要是由于基区宽度造成的;比较不同电压等级4H-Si C RSD对预充电荷量的要求,得出一般情况下器件正常开通所需电荷量与N基区宽度关系不大这一结论。建立4H-Si C RSD热力学传输模型,模拟器件开通过程中的热效应,分析器件正常开通时体内热分布及器件温度变化情况,得到了较为合理的温度分布以及较小的温升。基于热力学模型模拟器件的极限开通情况,器件的极限开通功率可达十几MW·cm-2。