【摘 要】
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该文的研究内容分为以下两方面：1.研究了Si（001）面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si（001）6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为6
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该文的研究内容分为以下两方面：1.研究了Si（001）面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si（001）6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si（001）衬底成岛生长的临界厚度,6斜切衬底上淀积0.7nmGe即可成岛,少于Si（001）衬底上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为2.OeV,远高于Si（111）面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si（001）斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si（001）衬底上形成的量子点的热稳定性要好.2.PL谱测量得到了外延生长Ge量子点的发光峰.利用分子束外延,在Si（001）衬底上淀积了三层10nm厚的Ge层,每层Ge中间由Si间隔层隔开.由AFM和XTEM观察到,埋在Si中的Ge层和表面的Ge层均已成岛.700℃退火后,在低温下观察到了位于900meV附近的发光峰.作为对比,同样条件生长了7nm厚的三层Ge.相同条件下没有观察到此发光峰.利用喇曼解释了此峰并非由GeSi互扩散引起.分析了此峰的其他发光机制.
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