固相外延相关论文
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
该文的研究内容分为以下两方面：1.研究了Si（001）面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si（001）6°斜切衬......
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结......
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/G......
研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生......
亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100-200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求.实验证实;采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体......
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外......
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy ......
采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该......
研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄......
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si+ 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用......
首次采用固相外延生长技术在Si（001）表面直接生长Sn量子点，并应用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和同步辐射傅里叶红外光谱（FTIR）研究了......
利用注硅固相外延的方法对0．2μm SOS薄硅膜材料进行改性，并制作了单管pMOSFET，nMOSFET及54HC04电路，测量了单管的迁移率，并对样品进行......
从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的......
