【摘 要】
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在该论文工作中,我们首次用固态反应法制备了两种新型电子掺杂的庞磁电阻(Colossal Magnetoresistance,CMR)化合物,并且用脉冲激光沉积技术(PLD)外延生长了一种锰氧化物薄膜.
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在该论文工作中,我们首次用固态反应法制备了两种新型电子掺杂的庞磁电阻(Colossal Magnetoresistance,CMR)化合物,并且用脉冲激光沉积技术(PLD)外延生长了一种锰氧化物薄膜.这两种CMR化合物分别是:Sb掺杂的La<,1-x>Sb<,x>MnO<,3>(La-Sb-Mn-O)和Pr掺杂的La<,1-x>Pr<,x>MnO<,3>(La-Pr-Mn-O).该论文工作的主要内容和结论为:1.首次利用固态反应法成功制备出低掺杂的La<,1-x>Sb<,x>MnO<,3> 单相体材料,并且用多种方法探测了系统中Mn和Sb元素的价态.2.电输运性质研究表明,La-Sb-Mn-O体系在5T的磁场下磁电阻比率达到了60﹪,与其他已见报道的电子掺杂的CMR锰氧化物比较起来,还是比较高的,因此作为一种电子掺杂材料,它具有一定的研究意义和应用价值.3.La-Sb-Mn-O除了是电子掺杂的钙钛矿锰氧化物材料外,其比较令人感兴趣的是它表现出了团簇玻璃态(CG)的特性.4.首次成功制备出钙钛矿结构的La<,1-x>Pr<,x>MnO<,3>化合物(包括块材和薄膜).对La-Pr-Mn-O的制备进行了大量工艺探索,并对传统工艺进行了改进,通过在氩气中退火,获得了具有金属-绝缘体转变(MIT)的La-Pr-Mn-O单相体材料.5.XPS谱研究表明:La-Pr-Mn-O中有Pr<4+>存在而且这种材料几乎在整个掺杂范围都是单相.6.电输运性质和磁性质的研究发现,金属-绝缘体转变温度小于居里温度Tc,并且低温出现绝缘态.7.利用脉冲激光沉积技术在(100)SrTiO<,3>单晶基底上外延生长了钙钛矿结构的La-Pr-Mn-O薄膜,发现该薄膜具有优异的电磁性质,磁电阻比率MR在5T的磁场下达到了95﹪.
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