硅基薄膜材料作为一种极具潜力的光电能量转化材料,由于其能耗低、可使用廉价衬底,并易大面积沉积等优势而备受人们关注,也使其在太阳能电池领域有很大的竞争力。非晶硅薄膜电池做为其中一个重要的分支,是目前光伏领域的研究热点。本文首先研究了在本设备条件下制备出非晶硅薄膜的均匀性问题,得到影响薄膜沉积均匀性的因素主要是电极间距和射频反射功率的大小。并探讨了样品表面出现斑点及“彩虹条”现象的原因及应对措施。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了不同射频功率、反应气压和衬底温度对制备非晶硅薄膜的沉积速率和光电特性的影响。结果表明,随衬底温度升高,射频功率增大,反应室内气压升高,沉积速率都增加。但过快的沉积速率使得膜内缺陷增多,性能下降。在可见光波段,薄膜对光的吸收随波长增加而迅速减小,光吸收系数在105cm-1数量级内。所制样品的光学禁带宽度在1.7-2.2eV范围内波动,暗电导率约为10?3S/cm数量级内。利用正交实验,得到了本设备制备出的非晶硅膜的最佳实验参数。其次,采用前文得到的最优参数在不同衬底上制备硅基薄膜。通过结构和性能的测试发现,硅膜在不同衬底表面的结合力都较好,但沉积速率相差很大,以AZO以最高,沉积速率达27.1nm/min,FTO次之,玻璃最低。同时发现,AZO和FTO表面均有膜轻微脱落现象。通过扫描电镜观察到,玻璃基底上为典型的非晶硅膜,而AZO和FTO表面逐渐开始有明显的颗粒团聚现象,但仍是非晶态。同时发现,衬底的结构形态与薄膜沉积和生长有很重要的关系。但对非晶硅沉积来说,最重要的影响因子不是衬底材质(玻璃态,非晶态或晶态),而是沉积工艺参数。最后,本论文初步探索了微晶硅的制备工艺,发现衬底材料的结构与微晶硅薄膜生长有重要关联,表现为衬底材料结晶性愈好,生长的微晶颗粒愈小。