【摘 要】
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ZnO基半导体材料作为最具代表的第三代半导体材料之一，因为其优异的物理性能和环境因素而备受人们关注。尤其是近年来，由于人们对半导体器件的小型化和性能综合化的需求的提高，对于以ZnO为母体的掺杂材料的综合性能的研究工作越发显得重要。V和Nb作为同一族的过渡金属元素，掺杂入ZnO中是否能实现比较优良的综合性能。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，并配合适当的修正，研究了V、Nb掺杂ZnO材料
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ZnO基半导体材料作为最具代表的第三代半导体材料之一，因为其优异的物理性能和环境因素而备受人们关注。尤其是近年来，由于人们对半导体器件的小型化和性能综合化的需求的提高，对于以ZnO为母体的掺杂材料的综合性能的研究工作越发显得重要。V和Nb作为同一族的过渡金属元素，掺杂入ZnO中是否能实现比较优良的综合性能。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，并配合适当的修正，研究了V、Nb掺杂ZnO材料的几何结构，电子能带结构，电学性质，表面磁性和光学性质。通过对ZnO几何结构和电子能带结构的分析
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