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通过溶胶-凝胶法制备了不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜,研究了A位Y、A"位Mg和B位Zr掺杂以及梯度掺杂对CCTO薄膜显微结构以及电性能的影响。利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜分别表征了薄膜的物相结构和微观形貌。采用精密阻抗分析仪、介电温谱测试系统和压敏电阻直流仪测量了薄膜的介电以及压敏特性。首先研究了CCTO薄膜的最佳烧结温度,研究表明750℃时更有利于CCTO薄膜的制备。对该烧结温度下制备的CCTO薄膜的介电以及压敏特性进行了理论分析,认为CCTO薄膜的介电性