论文部分内容阅读
半导体纳米晶通常也被称之为量子点。在过去的几十年中,得益于其独特的光学性能,量子点在发光二极管、生物标记、荧光太阳能聚光器等领域备受关注。本文主要专注于基于Mn掺杂ZnSe量子点制备而成的复合薄膜的相关物性研究。最初,量子点被直接用于合成复合薄膜,但是因在聚合过程中的复杂环境对量子点的负面影响导致最终效果不甚理想,其光学性能下降明显。为了解决此类问题,本文首先使用热注射法在高沸点有机溶剂中合成Mn掺杂ZnSe量子点,然后采用两种方式对Mn掺杂ZnSe量子点进行后期处理后再将量子点分散于有机聚合物单体中,最终制备成复合薄膜。方式一是在制备Mn掺杂Zn Se量子点的后期加入十二硫醇进行处理。然后将经过处理的量子点制备成复合薄膜。在经过1 mL的十二硫醇处理过的量子点本身的量子效率从61.5%增加到75.6%,量子效率增加了14.1%,而复合薄膜的量子效率从35.4%增加到67.1%,量子效率增加了31.7%。显示这种处理方式在增强量子点本身量子效率的同时,还保护了量子点在合成复合薄膜材料时外界条件对量子点量子效率的不利影响,而且这种处理方式不会改变发射峰和吸收峰的位置,适合用于对光谱波长有特殊要求的方案。方式二是在制备Mn掺杂Zn Se量子点的后期依次加入S的前驱体和Zn的前驱体,使得在Mn掺杂ZnSe量子点外部包覆ZnS,再使用十二硫醇处理。然后将经过处理过的量子点制备成复合薄膜。在这样处理方式中,Zn S在单体聚合过程中起到保护内部的Mn掺杂ZnSe的作用。复合薄膜的量子效率比第一种处理方式提高了8.7%,但是这种处理方式会使得量子点的尺寸变大,发射峰随之出现红移,更适合用于对量子效率有更高要求的方案。两种方式处理得到的复合薄膜平均透射率在500 nm~800 nm范围内都达到了90%以上,高于使用未经过处理的量子点制备成的复合薄膜的88%。