GaN基蓝、紫光激光器是迄今为止半导体激光器中波长最短的可见光激光器，是高密度光存储系统中最有希望的光源。它可以将现有光存储技术的存储密度提高五倍以上，并将大大提高激光印刷的速度。在国家863计划的支持下，北京大学已经实现了波长为405nm的电注入条型和脊型波导GaN基激光二极管的脉冲受激发射。虽然我们在激光器结构的优化设计、电学特性控制、掺杂技术、器件工艺等多方面都取得了新的突破，但同时也面临着很多问题，例如目前仍然是脉冲激射，占空比低，阈值电流密度高等。为了实现连续激射，并真正走向实用化，要克服的难题很多。 本论文主要研究了GaN基激光器电学和热学方面的性质，目的是为外延片的生长和器件结构的优化提供技术参数和理论依据。这对于改善激光器的性能，实现连续激射是有指导意义的。本论文主要做了以下两方面的工作： 1.从物理图像出发，分析了有源区电流溢出的原因，讨论了电子溢出有源层的可能机制。为了减少电流的溢出，改善激光器的性能，从载流子输运机制的角度，通过解析的推导，对AlGaN电子阻挡层中Al组分和p型掺杂水平进行了优化。并对照数值模拟的结果，进一步分析了电子阻挡层的作用以及其Al组分对器件的影响。 2.分析了GaN激光器热效应产生的原因及主要影响因素，介绍了测量激光器结温的主要测量方法。同时采用结电压法对本课题组的LD和LED样品进行了测量，并结合相应的文献对实验结果进行了分析，对本课题组样品的热性能有了基本的认识。最后为了改善激光器的温度特性，研究了利用激光剥离和电镀技术制备带光刻图形的铜衬底上的GaN基紫光激光器的实验方法，并研究了解理后的端面和样品的电学性质。