偏振光探测器由于在光学雷达,遥感,安全监控,激光偏振传感器等实际应用中具有显著优势而受到了广泛关注。最近,各向异性二维材料由于对线性偏振光具有本征的敏感性,并且与硅半导体工艺具有较好的兼容性,在偏振光探测器中显示出了广阔的应用前景。但是,大多数报道的各向异性二维材料仅限于具有简单晶体结构的二元材料,通常具有较低的各向异性。此外,由于缺乏有效的偏振光响应调控策略,偏振光探测器的研究进展受到了严重阻碍。二维三元材料与二元材料相比更复杂的组成产生了新的自由度,因此逐渐引起了人们的兴趣。这种新的自由度将引入较低的对称结构,这可能会大大提高偏振光探测的性能。In2SnS4晶体结构表现出强烈的各向异性特征,在偏振光探测领域具有极大的潜力,但其可控制备是实现其应用的主要瓶颈。基于此,本文开展了二维In2SnS4纳米片的化学气相合成及偏振光探测性能的研究,主要研究内容如下:（1）开发了一种盐和分子筛协同辅助化学气相沉积的方法,以In2S3和SnS为前驱体,加入盐和分子筛,在云母衬底上合成了高质量超薄（～5.4 nm）的In2SnS4纳米片,其中盐和分子筛的作用是降低反应温度、减缓蒸发速率,使得反应能够充分进行。此外,采用角分辨拉曼光谱证实了In2SnS4纳米片较强的面内各向异性;通过偏振吸收光谱验证了其光吸收强烈的偏振相关性;并进一步利用方位角相关的反射差分显微镜直观地观察了其面内光学各向异性。（2）构筑了基于二维In2SnS4纳米片的偏振光探测器,器件对532 nm的激光表现出～20μs的响应速度;同时器件具有明显的P型导电特征和显著的栅压可调偏振光响应:当栅极电压为-35～35 V时,二向色性比可在1.13～1.70范围内调节,这种栅压可调的特性来源于光电流在整个调控过程中超越隧穿电流和热电子发射电流的主导作用。