近年来，随着分子束外延生长技术的发展，对半导体低维材料生成有了不可估量的影响，利用这种生产技术，使不同禁带的两种半导体材料组合在一起。由于GaAs/Ga_xAl_1-xAs超晶格材料的晶格常数基本相似，材料性质较为相近等原因，使得这种超晶格结构获得了大量的研究。本论文以介观压阻效应的基本理论为指导思想，考虑外界因素的影响，研究GaAs/Ga_xAl_1-xAs应变量子阱能级跃迁即光电流峰所发生的改变。计算超晶格量子阱能带结构的方法有很多。在本文中，主要根据电子的波动性理论，利用波的干涉叠加对超晶格材料的能带结构进行了计算和分析，并得出子带间的宽度及在外界因素的作用下，微带的变化情况。本文主要包括以下几个部分。（1）分析超晶格能带结构原理与分类，发展与应用前景。（2）介绍量子阱红外探测器的发展过程及其工作原理，总结了几种探测器子能级的跃迁方式、研究进展和应用。（3）运用半导体光跃迁的基本理论，分析了外界因素对半导体光吸收的影响。（4）研究由应力导致的应变超晶格量子阱，分析温度对应变超晶格量子阱能带结构的影响，并理论上计算出GaAs、 Al_0.3Ga_0.7As在生长方向上子能带随温度变化的具体表达式。（5）得出由于单轴应力导致的材料晶格常数的畸变才引起了量子阱的子带跃迁。