Mg₂Ge半导体材料是一种新型环保材料,Mg₂Ge材料具有高的塞贝克系数、高电导率和低热导率等特点,是高性能的中高温热电材料,作为锂离子电池阳极材料也有很大的应用价值。Mg₂Ge具有高硬度,耐腐蚀性和耐高温性等优点,是非常有潜力的金属基复合材料。本文对电阻式热蒸发方法和磁控溅射方法制备Mg₂Ge半导体薄膜的制备工艺进行了系统地研究,确定了相对适宜的热处理条件和溅射工艺参数。采用磁控溅射方法在Ge、石英玻璃和蓝宝石衬底上制备Mg₂Ge半导体薄膜,研究了不同衬底下薄膜的生长,成功在Ge和石英玻璃衬底上生长出了单一相的半导体Mg₂Ge薄膜。采用X-射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、拉曼光谱仪对所制备的薄膜进行了表征。分析了电阻式热蒸发沉积Mg/Ge样品在不同退火条件退火时,退火条件对Mg₂Ge薄膜晶体结构和表面形貌的影响,确定了Mg₂Ge薄膜生长较为适宜的退火条件,即退火温度为400℃,退火时间为5 h。分析了磁控溅射沉积Mg/Ge样品在400℃退火5 h时,溅射参数对Mg₂Ge薄膜晶体结构和表面形貌的影响,确定了在Ge衬底上生长Mg₂Ge薄膜较为适宜的溅射工艺参数,即溅射功率为90 W、溅射气压为3 Pa和氩气流量为20sccm。分析了在石英玻璃和蓝宝石衬底上磁控溅射Mg/Ge样品在退火5 h时,退火温度对Mg₂Ge薄膜晶体结构和表面形貌的影响,确定了在石英玻璃和蓝宝石衬底上生长Mg₂Ge薄膜较为适宜的退火条件为400℃退火5 h。最后采用显微共焦拉曼光谱仪对电阻式热蒸发法和磁控溅射法所制备的Mg₂Ge薄膜进行光学表征和分析。结果表明,在248和550cm^-1附近有两个拉曼活性峰,这与Mg₂Ge的拉曼特征峰峰位相一致。