随着现在通信工具的微型化、集成化,微波介质陶瓷作为谐振器、滤波器、振荡器等微波元器件的关键材料,受到人们广泛的重视。作为上述器件的微波介质陶瓷必须具备以下性能:高介电常数,高Q值,谐振频率温度系数尽可能地接近于零。论文综合分析了(PbCa)(MgNb)O3系列微波介质陶瓷的介电性能,针对应用于移动通信的微波介质陶瓷必须具备的三个条件,进行铅基钙钛矿(PbCa)(MgNb)O3材料A位、B位取代的改性研究,讨论了这两种取代对材料晶体结构、显微结构、微波介电性能的影响。论文的主要研究内容包括:B位,及的取代均大大降低了(PbCa)(MgNb)O3体系陶瓷在电场下的介电损耗;由于各离子特性的不同及体系中生成的焦绿石相的影响,B位, 离子的取代使得体系的介电常数上升,离子的取代却使的体系的介电常数有所下降。体系的谐振频率温度系数也由于介电常数温度系数及容忍因子t值的影响有了不同的变化。,离子在A位的取代使得体系介电常数有较大幅度的下降。进入A位的,离子可以消除体系中的氧空位,提高了体系品质因数。随La,Nd含量的增加,体系的容忍因子t值逐渐降低,谐振频率温度系数也随之下降。本文研究了(PbCa)(MgNb)O3体系微波介质陶瓷的制备工艺技术,包括球磨时间、烧结温度及保温时间对显微结构和微波介电性能的影响。