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多孔硅结构由于通过精确地控制其多孔层孔隙率以及厚度可以调整其光学特性,即光子晶体结构,为光电探测器等先进光电子技术的众多应用打开了大门。一维多孔硅光子晶体在可见光至近红外波段内,将众多单个禁带叠加可使其反射率增大,在成像方面和目标搜索等方面具有应用价值。首先,利用传输矩阵理论通过计算机Matlab程序设计出宽禁带结构,并将不同中心波长的单一结构进行叠加;然后,采用电化学阳极氧化的方法,在p型单晶硅上制备出多孔硅结构,通过讨论不同因素对多孔硅结构的影响来控制多孔硅层的孔隙率及厚度;最后,分别制备出单一结构和叠加结构的一维多孔硅光子晶体,并对其进行测试与表征。