高质量场发射碳纳米材料生长及表征技术研究

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碳纳米管(CNTs)为中空多孔结构,具有长径比大、机械强度高、化学性能稳定、物理电子性能优越等特点,碳纳米管电极在场电子发射、气体传感、能量储存等领域得到广泛研究和应用。热CVD法具有设备简单、成本低、工艺参数更易控制、适合原位生长等优点,被广泛应用于多种CNT电极的制备中。CNT电极目前大多采用CVD原位生长法和使用固化材料的固化层法,但均存在CNT与基底表面难以自然接合、结合力弱、接触电阻大、导电性不佳等不足,直接影响电极的性能、尤其是稳定性和寿命。因此,提高CNT与表面的结合强度是改善CNT电
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